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電子元器件輻照

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      随着科学技术的发展,从空间技术、核能技术、核武器技术到通信、电子小电影免费观看等高新技术,越来越多的光电子器件需要在辐照环境下正常工作。在電子元器件輻照過程中,大量缺陷如氧化物電荷、界面電荷和位錯等被引入器件,導致器件電學參數的劣化以及器件的暫時或永久失效。因此,爲了保證器件在輻照環境下的正常工作,有必要研究器件的輻照損傷機理,研究器件在不同輻照環境下的損傷程度,並對器件的抗輻照性能進行預評價和診斷。

      目前,辐照退火筛选是器件抗辐照性能评价的一种方法。该方法周期长、成本高,且无法对大量样品进行破坏性辐照实验。更重要的是,它不能保证所有辐照器件在退火后都能恢复其初始性能,而且可能给被测器件引入新的潜在缺陷,从而降低器件的可靠性。这就迫切需要一种简单、快速、完全无损的辐射屏蔽和辐射阻力评估技术。光耦合器具有体积小、寿命长、非接触、抗干扰能力强等优点,在航空航天和核技术中得到广泛应用。

      因此,研究光电耦合器在辐照环境中的失效机理和防辐射评估方法显得尤为迫切。辐照在光电耦合器中引起缺陷,噪声与器件的内部缺陷密切相关。因此,利用光耦合器的噪声理论研究光耦合器的辐射损伤理论是可行的。本文系统地研究了晶体管输出光耦合器的辐射效应、损伤机理和评价方法。详细介绍了晶体管输出光耦合器的噪声理论、辐照机理和辐照效应。



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